英飞凌 IPD60R650CE
N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：9.9A 功率(Pd)：82W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@2.4A,10V
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IPD60R650CE产品概述 |
|---|---|---|
| Source Content uid | IPD60R650CE |
600V,7A,N沟道功率MOSFET
功能概述:
.缩小典型和最大rds之间的空白(on)。减少存储在输出电容中的能量(E损耗)。良好的体二极管坚固性和减少反向回收电荷(qrr)。优化积分R g 好处:
·传导损耗低。低开关损耗。适用于硬、软开关。易于控制的开关行为。提高效率，从而降低功耗。更少的设计努力。易于使用 目标应用程序:
笔记本电脑和笔记本适配器。低功耗充电器，照明，液晶和LED电视 相关型号： IPD70P04P4-09 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
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| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 8058375257 | |
| 包装说明 | DPAK-3/2 | |
| Reach Compliance Code | not_compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| 风险等级 | 6.83 | |
| YTEOL | 6.55 | |
| 雪崩能效等级（Eas） | 133 mJ | |
| 外壳连接 | DRAIN | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.65 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 3 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 2 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 19 A | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | SINGLE | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
