适合基础设施和国防的放大器、控制产品和变频器

2016年05月09日
5-1218MHz GaAs/GaN 功率倍增器混合式放大器
RFPD3210
RFPD3220
RFPD3210 与 RFPD3220 特性
  • 符合 DOCSIS 3.1 标准
  • GaAs pHEMT 与 GaN HEMT 技术
  • 极高的输出能力
  • 出色的线性度
  • SOT-115J 封装
  • 非常适合 45MHz 到 1218MHz CATV 放大器系统

其他信息:
RFPD3210RFPD3220

采用塑料封装的 S 频段 GaN PAs
TGA2830-SM
TGA2975-SM
TGA2830-SM (18W) 与 TGA2975-SM (12W) 特性
  • 频率: 2.7-3.5GHz
  • 高输出功率与高 PAE
  • 可支持各种系统要求的偏置灵活性
  • 低热阻
  • 5x5mm 塑料 QFN 封装
  • 非常适合商业和国防雷达
  • ECCN: EAR99

其他信息:
TGA2830-SMTGA2975-SM

Ku 频段 GaN PA/驱动器放大器
TGA2958-SM
TGA2958-SM 特性
  • 频率: 13-18GHz
  • Psat: 高达 2W
  • SS 增益: >25dB
  • 非常适合用于驱动 Qorvo Ku 频段 GaN HPA(相同的 Vd 操作)
  • 4x4mm QFN 封装
  • 非常适合通信、雷达和其他常规放大要求
  • ECCN: EAR99

其他信息:
TGA2958-SM

2-22GHz 高度可靠的 GaN LNA
TGA2227-SM
TGA2227-SM 特性
  • 宽带频率: 2-22GHz
  • 可处理最高 10W 的入射功率水平
  • 中频 NF: 2.0dB
  • 增益: >15dB
  • 4x4mm QFN 封装
  • 非常适合雷达、通信、EW、仪表和其他常规放大要求
  • ECCN: EAR99

其他信息:
TGA2227-SM

S 频段高功率限制器
TGL2927-SM
TGL2927-SM 特性
  • 频率: 2-4GHz
  • 峰值功率处理: 200W(脉冲)
  • 平坦泄漏: <18dBm
  • 插入损耗: <0.6dB
  • 无源;无需偏置
  • 4x4mm 包塑 QFN 封装
  • 非常适合雷达和通信
  • ECCN: EAR99

其他信息:
TGL2927-SM

低频段高功率限制器
TGL2210-SM
TGL2210-SM 特性
  • 宽带频率: 0.05-6GHz
  • 峰值功率处理: 100W(脉冲)
  • 平坦泄漏: <17dBm
  • 插入损耗: <0.6dB
  • 无源;无需偏置
  • 4x4mm 包塑 QFN 封装
  • 非常适合雷达、通信和 EW
  • ECCN: EAR99

其他信息:
TGL2210-SM

带 1W 多级放大器的 Ka 频段倍增器
TGC4603-SM
TGC4603-SM 特性
  • RF 输出频率: 27-32GHz
  • 输入频率: 13.5-16GHz
  • Pout: 31.5dBm
  • 输入频率隔离: 70dBc
  • 5x5mm QFN 封装
  • 非常适合 Ka 频段 VSAT
  • ECCN: 3A001.b.2.c
来源:深圳市首质诚科技有限公司

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