英飞凌 IPD70R600P7S
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：8.5A 功率(Pd)：43.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ@10V,1.8A
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IPD70R600P7S产品概述
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|---|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
全新700V CoolMOS™P7系列专为满足当今和未来反激拓扑的发展趋势而开发，与目前使用的超级结技术相比，它提供了基本的性能提升，从而解决了低功耗SMPS市场，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。通过将客户反馈与超过20年的超结MOSFET经验相结合，700V CoolMOS™P7在以下方面最适合目标应用:
． 效率和热量 ． 易用性 ． EMI的行为 功能概述: ． 极低的FOM rds (on) x E损耗;低Q g, E开E关 ． 高性能技术 ． 低开关损耗(E损耗) ． 高效 ． 优异的热性能 ． 允许高速切换 ． 集成保护齐纳二极管 ． 优化V (GS)th为3V，误差极窄，为±0.5V ． 精细毕业作品集 好处:
． 具有成本竞争力的技术 ． 与C6技术相比，效率提高2.4%，器件温度降低12K ． 在更高的开关速度下进一步提高效率 ． 支持更小的磁性尺寸和更低的BOM成本 ． 防静电强度高，达到HBM 2级 ． 易于驱动和设计 ． 实现更小的外形尺寸和高功率密度设计
选择最合适的产品的绝佳选择 ． 相关型号： IPD031N06L3 G |
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 8224715524 | |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| 风险等级 | 7.67 | |
| YTEOL | 6.6 | |
| 外壳连接 | DRAIN | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 700 V | |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8.5 A | |
| 最大漏极电流 (ID) | 8.5 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-252 | |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 3 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 2 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 43.1 W | |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 5 A | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | SINGLE | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
