英飞凌 IRLML6244TRPBF
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6.3A N沟道，最大电流6.3A@VGS=4.5V，VDS=20V
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IRLML6244TRPBF产品概述 |
|---|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
INFINEON IRLML6244TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。 相关型号： " |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
|
| 生命周期 | Transferred | |
| Objectid | 1801527324 | |
| 零件包装代码 | SOT-23 | |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | |
| 针数 | 3 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| 风险等级 | 2.71 | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.3 A | |
| 最大漏极电流 (ID) | 6.3 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.021 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W | |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 子类别 | FET General Purpose Power | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
