IRFS7530TRLPBF

英飞凌 IRFS7530TRLPBF

N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):195A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,100A N沟道 60V 195A
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参数名称 参数值

英飞凌infineon IRLML6244TRPBF产品概述

是否Rohs认证 符合 符合

应用程序:

●有刷电机驱动应用

●无刷直流电机驱动应用

●电池供电电路

●半桥和全桥拓扑

●同步整流器应用

●谐振模式电源

●自动或冗余电源开关

●DC/DC和AC/DC转换器

●DC/AC逆变器

好处

●改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性

●完全特性电容和雪崩SOA

●增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力

●无铅,符合RoHS标准

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生命周期 Transferred
Objectid 1388777723
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.34
雪崩能效等级(Eas) 1025 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 195 A
最大漏源导通电阻 0.002 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 760 A
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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