英飞凌 IPW60R037P7

N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：76A 功率(Pd)：255W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,29.5A

产品详情

参数名称	参数值	英飞凌infineon IPW60R037P7产品概述
是否Rohs认证	符合	场效应管 600V coolmost P7功率晶体管 coolmost7代平台是一项革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌科技率先推出。60oV CoolMOS P7系列是CoolMOSTM P6系列的后继产品。它结合了快迪开关SJMOSFET的优点和出色的品用性，例如非常低的振铃倾向，出色的体二极管抗硬换流的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效，更紧凑和更冷。特性。由于出色的换流坚固性，适用于硬开关和软开关(PFC和LLC) 。显著降低开关和传导损耗 ·优异的ESD稳健性>2kV(HBM) 与竞争对手相比，通过低Rps(低于10欧姆mm2)实现更好的Roson/封装产品完全合格的acc。JEDEC用于工业应用好处 ·通过低振铃趋势和跨PFC和PWM级的使用，易用性和快速设计由于低开关和传导损耗，简化了热管理 '由于>2 kV ESD保护，使用占地面积更小、制造质量更高的产品，实现了更高的功率密度解决方案适用于各种应用和功率范围潜在的应用 PFC级，硬开关PWM级和谐振开关级，例如PC Silverbox，适配器，LCD和PDP电视，照明，服务器，电信和UPS。相关型号： IPT007N06N IPT012N08N5 IPW60R040CFD7 IPW60R045CP IPW60R060P7 IPW60R099P7 IPW60R180P7 IPW90R120C3
生命周期	Active
Objectid	8265104663
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
风险等级	2.36
Samacsys Description	Trans MOSFET N-CH 600V 76A
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2023-04-13 11:11:46
YTEOL	6.25
雪崩能效等级（Eas）	295 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	76 A
最大漏极电流 (ID)	76 A
最大漏源导通电阻	0.037 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	255 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	280 A
表面贴装	NO
端子面层	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

产品中心

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ꄴ前一个：英飞凌 IRFR7446TRPBF

ꄲ后一个：英飞凌 IRFS7530TRLPBF

	销售热线：
	13723484711

英飞凌 IPW60R037P7

英飞凌infineon IPW60R037P7产品概述