英飞凌 IPW60R037CSFD
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IPW60R037CSFD产品概述 |
|---|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
600V CoolMOSTM CSFD功率晶体管
CoolMOSTM是一项革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计，由英飞凌科技率先推出。IPW60R037CSFD是一款专为满足车载电动汽车充电细分市场而量身定制的优化设备。
由于低栅极电荷(Qg)和改进的开关行为，它在目标市场提供了最高的效率。此外，它还配备了一个集成的快速体二极管和大大减少的反向恢复电荷(Qr)，从而在谐振拓扑中具有最高的可靠性。
由于这些特点，IPW60R037CSFD符合车载电动汽车充电站市场的效率和可靠性标准，并且还支持高功率密度解决方案。
特性： 快体二极管 行业领先的反向回收费用(Q)
好处： 在软交换应用中具有出色的硬换坚固性和可靠性，效率最高，易用性/性能折衷 实现更高的功率密度解决方案 平衡电动汽车充电市场的性价比
潜在的应用： 适用于软开关和硬开关拓扑，针对相移全桥(ZVS)， LLC和PFC应用进行了优化- ev充电
产品验证:根据JEDEC47/20/22相关测试，符合工业应用要求
请注意:对于MOSFET并联，一般建议在栅极或单独的图腾柱上使用铁氧体磁珠。
相关型号： IPW60R040CFD7 |
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 8365182250 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| 风险等级 | 7.71 | |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | |
| Samacsys Modified On | 2022-07-26 09:48:56 | |
| YTEOL | 6.25 | |
| 雪崩能效等级（Eas） | 277 mJ | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | |
| 最大漏极电流 (ID) | 54 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.037 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-247 | |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 245 W | |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 236 A | |
| 表面贴装 | NO | |
| 端子面层 | TIN | |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | |
| 端子位置 | SINGLE | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
