英飞凌 IPW65R041CFD
N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@24.8A,10V
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IPW65R041CFD产品概述 |
|---|---|---|
| Source Content uid | IPW65R041CFD |
650V CoolMOS™CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™mosfet，具有集成的快速体二极管。CFD2器件是600V CFD的继承者，具有更高的能效。较软的换相行为，因此更好的EMI行为，使该产品与竞争对手的零件相比具有明显的优势。
功能概述: 650V技术集成快体二极管 在硬换相过程中限制电压超调 与600V CFD技术相比，Qg显著降低 将RDS(on) max收紧到RDS(on)类型窗口 易于设计 与600V CFD技术相比，价格更低
好处: 低开关损耗由于低Qrr在重复换相的主体二极管 自限di/dt和dv/dt 低qos 减少打开和打开延迟时间 卓越的CoolMOS™品质
潜在的应用： 电信 服务器 太阳能 HID灯镇流器 LED照明 eMobility
相关型号： IPW65R041CFD7 IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFD IPW65R041CFDFKSA2 IRF1010EPBF |
| 是否无铅 |  不含铅 |
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| 是否Rohs认证 |  符合 |
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| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 1058092498 | |
| 零件包装代码 | TO-247 | |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | |
| 针数 | 3 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| 风险等级 | 1.49 | |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | |
| Samacsys Modified On | 2020-11-30 19:47:12 | |
| YTEOL | 6.6 | |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2185 mJ | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 650 V | |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 68.5 A | |
| 最大漏极电流 (ID) | 68.5 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.041 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-247 | |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 500 W | |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 255 A | |
| 表面贴装 | NO | |
| 端子面层 | TIN | |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | |
| 端子位置 | SINGLE | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
