英飞凌 IR21814STRPBF
驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IR21814STRPBF产品概述 |
|---|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
600v高侧和低侧栅极驱动IC
600 V高、低侧驱动IC，典型1.9 A源电流和2.3 A吸收电流，14引脚SOIC封装，用于igbt和mosfet。也可在14铅PDIP, 8铅SOIC，和8铅PDIP。
对于采用SOI技术的新版本，我们推荐2ED21814S06J，提供集成的自举二极管，更好的鲁棒性和更高的开关频率
功能概述： 浮动通道设计用于引导操作 完全工作到+ 600v 耐瞬态负电压 dV / dt免疫 栅极驱动供电范围从10到20v 两个通道的欠压锁定 3.3 V和5v输入逻辑兼容 两个信道的传播延迟匹配 逻辑和电源接地+/- 5v偏移 更低的di/dt栅极驱动器，更好的抗噪性 输出源/吸收电流能力1.4A/1.8A
潜在的应用： 家用电器 电机控制和驱动 机器人 家庭和楼宇自动化 工业加热和焊接 电动工具 电力供应 不间断电源(UPS)
相关型号： IR2183STRPBF |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
|
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 8302017320 | |
| 包装说明 | SOP, | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 | |
| 风险等级 | 7.04 | |
| Samacsys Description | Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt | |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | |
| Samacsys Modified On | 2023-06-22 02:40:13 | |
| YTEOL | 7.8 | |
| 高边驱动器 | YES | |
| 接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 长度 | 8.65 mm | |
| 湿度敏感等级 | 3 | |
| 功能数量 | 1 | |
| 端子数量 | 14 | |
| 最高工作温度 | 125 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 标称输出峰值电流 | 2.3 A | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码 | SOP | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | |
| 最大供电电压 | 20 V | |
| 最小供电电压 | 10 V | |
| 标称供电电压 | 15 V | |
| 电源电压1-最大 | 620 V | |
| 电源电压1-分钟 | 5 V | |
| 表面贴装 | YES | |
| 技术 | CMOS | |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子节距 | 1.27 mm | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 断开时间 | 0.33 µs | |
| 接通时间 | 0.27 µs | |
| 宽度 | 3.9 mm |
