产品概述

•采用CRM(CQ)先进的Trench MOS技术

极低导通电阻RDS(on) RDS(on)型。

•优秀的QgxRDS产品(FOM)

•符合JEDEC标准

应用程序

•电机控制和驱动

•电池管理

•UPS(不间断电源)

热阻

电气特性(Tj = 25℃时，除非另有说明)

静态特性

1.07

105

单位

结壳热阻。RthJC

结热阻-环境(最小)足迹)

1 2 3 VDS=VGS,ID=250uA

漏源极分解

BVDSS VGS=0V, ID=250uA

参数符号测试条件

分钟typ。max。40

门阈值电压VGS(th) V

————v参数RthJA *°C / 马克斯

零栅电压漏极

idsµ一

VDS = 40 v, vg = 0 v

- 0.05 1 Tj=25℃

- - 100 Tj=150℃

Gate-source泄漏

动态特性

栅源电荷Qgs

导通延时时间td(on) 20

栅阻RG

关断延时时间td(关断)

下降时间t

栅漏电荷Qgd

栅源泄漏

当前的

Igss - vgs =±20v, vds = 0v

漏源极使用状态

电阻RDS(on) mΩ

跨导gfs

vg = 10 v, ID = 40,

- 2.5 3.3 Tj=25℃

- 3.2 4.0 vgs = 4.5v, id = 30a

- 153 - vds = 5v, id = 40a

输入电容Ciss

- 22

反向传输

电容十字- 309

门总收费QG - 1145391

上升时间tr - 117112

输出电容损耗- 679 -

- 25 -

- 4.1 5.0 Tj=150°C

±10±100

年代

VDS vg = 0 v, v = 20,

f = 1 mhz pF

VDS vg = 10 v, v = 20,

ID=40A, f=1MHz nC

低VDD vg = 10 v, v = 20,

RG_ext=2.7Ω， ID=40A ns

VDS vg = 0 v, v = 0,

f=1MHz - 1.3

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