CRTD082NE6N
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):65V 连续漏极电流(Id):87A 功率(Pd):99W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.9mΩ@10V,40A
产品详情
产品概述
•采用CRM(CQ)先进的Trench MOS技术
极低导通电阻RDS(on) RDS(on)型。
•优秀的QgxRDS产品(FOM)
•符合JEDEC标准
应用程序
•电机控制和驱动
•电池管理
•UPS(不间断电源)
6.9Ω
ID 85
VDS公司65 v
100%雪崩测试
100% dvd测试
包装标记和订购信息
功耗(TC = 25℃)
操作结和存储温度
焊接温度,波峰焊只允许在引线T
漏源极电压
连续漏极电流
TC = 25°C(硅极限)
TC = 25°C(包装极限)
TC = 100°C(硅极限)
脉冲漏极电流(TC = 25°C, tp受Tjmax限制)
象征
ID脉冲340
One hundred.
±20
部分#
CRTD082NE6N
数量
2500台电脑
带宽度
N/A
卷的大小
N/A
标记
CRTD082NE6N
包
- 252卷
-55……+ 150
乔丹
°C
雪崩能量,单脉冲(L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS
vg
100%雪崩测试
100% dvd测试
焊接温度,波峰焊只允许在引线
(1.6mm从箱体10s) Tsold 260°C
100%雪崩测试
100% dvd测试
Rev 1.0©华润
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