产品概述

•采用CRM(CQ)先进的Trench MOS技术

极低导通电阻RDS(on) RDS(on)型。

•优秀的QgxRDS产品(FOM)

•符合JEDEC标准

应用程序

•电机控制和驱动

•电池管理

•UPS(不间断电源)

3.1Ω

ID 80

VDS公司30 v

100%雪崩测试

100% dvd测试

包装标记和订购信息

包装

绝对最大评级

第101节

Tj

我知道了。

功耗(TC = 25℃)

操作结和存储温度

标识一个

参数

漏源极电压

连续漏极电流

TC = 25°C(硅极限)

TC = 25°C(包装极限)

TC = 100°C(硅极限)

脉冲漏极电流(TC = 25°C, tp受Tjmax限制)

±20

雪崩能量，单脉冲(L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS

vg

部分#

CRTD045N03L

数量

2500台电脑

带宽度

N/A

卷的大小

N/A

标记

CRTD045N03L

包

- 252卷

-55……+ 150

100%雪崩测试

100% dvd测试

Tj工作结和存储温度，tstg -55…+ 150°C

100%雪崩测试

100% dvd测试

Rev 1.0©华润微电子(重庆)有限公司

CRTD045N03L

沟槽N-MOSFET 30V, 3.1mΩ， 80A

热阻

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