CRTD110N03L
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A N沟道
产品详情
产品概述
无铅环保装置
低导通,最大限度地减少导电损耗
高雪崩电流
应用程序
电动工具
用于LED照明的升压转换器
smp
绝对最大额定值(TA=25°C,除非另有说明)
符号参数
一特
最大单位
漏源电压30v
VGSS栅源电压±20v
ID vg = 10 v
持续漏极电流
TC=25°C(硅限
一个
TC=100°C(硅限
TC=25°C(包装限制
ID Vgs=4.5V TC=25°C(硅限
TC=100°C(硅限
TC=25°C(包装限制
脉冲漏极电流TC=25°C - A
IAS雪崩电流(L=0.3mH)
T = 25°C
11个
EAS雪崩能量(L=0.3mH)
T = 25°C
18岁的乔丹
20 . PD最大功耗TC=25℃40w TC=100℃
TJ, TSTG结与存储温度范围-55~175°C
热特性
符号参数最大值。单位
热阻,结到外壳3.7℃/W
RthJA热阻,结对环境86℃/W
vds公司30 v
RDS(on) Vgs=10V型。
max。
9米Ω
11米Ω
RDS(on) Vgs=4.5V型。
max。
11米Ω
13米Ω
ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A
ID(包装有限公司)20A
TO252
©华润微电子2018年2月2日
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