252

CRTD110N03L

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,12A N沟道
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产品概述

无铅环保装置

低导通,最大限度地减少导电损耗

高雪崩电流

应用程序

电动工具

用于LED照明的升压转换器

smp

绝对最大额定值(TA=25°C,除非另有说明)

符号参数

一特

最大单位

漏源电压30v

VGSS栅源电压±20v

ID vg = 10 v

持续漏极电流

TC=25°C(硅限

一个

TC=100°C(硅限

TC=25°C(包装限制

ID Vgs=4.5V TC=25°C(硅限

TC=100°C(硅限

TC=25°C(包装限制

脉冲漏极电流TC=25°C - A

IAS雪崩电流(L=0.3mH)

T = 25°C

11个

EAS雪崩能量(L=0.3mH)

T = 25°C

18岁的乔丹

20 . PD最大功耗TC=25℃40w TC=100℃

TJ, TSTG结与存储温度范围-55~175°C

热特性

符号参数最大值。单位

热阻,结到外壳3.7℃/W

RthJA热阻,结对环境86℃/W

vds公司30 v

RDS(on) Vgs=10V型。

max。

9米Ω

11米Ω

RDS(on) Vgs=4.5V型。

max。

11米Ω

13米Ω

ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 45A

ID(包装有限公司)20A

TO252

©华润微电子2018年2月2日

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