AP2311GN
描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.8A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1.8A P沟道
产品详情
产品概述
简单的驱动要求BVDSS -60V
▼小封装概要RDS(ON) 250mΩ
表面贴装设备ID - 1.8A
▼符合RoHS标准
描述
绝对最大评级
象征单位
VDS V
vg V
ID@TA = 25℃
ID@TA = 70℃
IDM一
PD@TA = 25℃W
W /℃
测试℃
TJ℃
符号价值单位
Rthj-a最大热阻,连接环境3 90℃/W
数据及规格如有更改,恕不另行通知
热数据
参数
总功耗
工作结温范围
储存温度范围
1.38
-55 ~ 150
-55 ~ 150
线性降额系数
参数
漏源极电压
Gate-Source电压
连续漏极电流3
连续漏电流3 - 1.4
脉冲漏极电流1 -10
AP2311GN-HF
先进功率mosfet从APEC提供
设计师与快速切换的最佳结合,
低导通电阻和成本效益。
SOT-23封装广泛适用于所有商业工业
表面贴装应用,适合低压应用
例如DC/DC转换器。
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