SOT-23

AP2311GN

描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1.8A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1.8A P沟道
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产品详情

产品概述

简单的驱动要求BVDSS -60V

▼小封装概要RDS(ON) 250mΩ

表面贴装设备ID - 1.8A

▼符合RoHS标准

描述

绝对最大评级

象征单位

VDS V

vg V

ID@TA = 25℃

ID@TA = 70℃

IDM一

PD@TA = 25℃W

W /℃

测试℃

TJ℃

符号价值单位

Rthj-a最大热阻,连接环境3 90℃/W

数据及规格如有更改,恕不另行通知

热数据

参数

总功耗

工作结温范围

储存温度范围

1.38

-55 ~ 150

-55 ~ 150

线性降额系数

参数

漏源极电压

Gate-Source电压

连续漏极电流3

连续漏电流3 - 1.4

脉冲漏极电流1 -10

AP2311GN-HF

先进功率mosfet从APEC提供

设计师与快速切换的最佳结合,

低导通电阻和成本效益。

SOT-23封装广泛适用于所有商业工业

表面贴装应用,适合低压应用

例如DC/DC转换器。

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