AP2302GN-HF
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.2A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3.6A N沟 20V 3.2A
产品详情
产品概述
支持2.5V栅极驱动BVDSS 20V
▼小包装外形RDS(ON) 85mΩ
表面贴装封装ID 3.2A
描述
绝对最大评级
象征单位
VDS V
vg V
ID@TA = 25℃
ID@TA = 70℃
IDM一
PD@TA = 25℃W
W /℃
测试℃
TJ℃
符号价值单位
Rthj-a热阻结-环境3最大90℃/W
数据及规格如有更改,恕不另行通知
无铅电镀产品
200114054
AP2302GN
参数评级
漏源电压
栅极电压±12
连续漏极电流3
, VGS @ 4.5v 3.2
连续漏极电流3
, VGS @ 4.5v 2.6
脉冲漏极电流1,2 10
总功耗1.38
-55 ~ 150
工作结温度范围-55至150
线性降额因子0.01
热数据
参数
储存温度范
SOT-23
亚太经合组织的先进功率mosfet提供
设计师与快速切换的最佳结合,
低导通电阻和成本效益。
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