AP10TN135N
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):135mΩ@10V,2A
产品详情
产品概述
简单的驱动要求BVDSS 100V
快速开关特性RDS(ON) 135mΩ
低栅极电荷id3a
符合RoHS标准,无卤素
描述
绝对最大值Ratings@Tj
= 25啊
C(除非另有指明)
象征单位
VDS V
vg V
ID@TC = 25℃
ID@TA = 25℃
ID@TA = 70℃
IDM一
PD@TA = 25℃W
测试℃
TJ℃
符号价值单位
最大热阻,结壳45℃/W
Rthj-a最大热阻,连接环境3 90℃/W
数据及规格如有更改,恕不另行通知
热数据
参数
储存温度范围
总功耗1.38
-55 ~ 150
工作结温度范围-55至150
漏极电流,VGS @ 10V3
脉冲漏极电流
栅极电源电压+20
漏极电流,VGS @ 10V3 2.1
漏极电流,VGS @ 10V 3
参数评级
漏源电压100
201504202
1
AP10TN135N
无卤产品
AP10TN135系列采用美国Advanced Power公司创新设计
而硅制程技术实现了尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它提供了
具有极高效率的设计装置,适用范围广
电力应用。
特殊设计的SOT-23封装具有良好的散热性
性能广泛适用于所有商业和工业
表面贴装应用采用红外回流技术和
适用于电压转换或开关应用。
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