AP2303GN-HF
描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):1.9A 功率(Pd):1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,1.7A P沟 -30V -1.9A
产品详情
产品概述
简单的驱动要求BVDSS -30V
▼小封装概要RDS(ON) 240mΩ
表面贴装设备ID - 1.9A
符合RoHS标准,无卤素
描述
绝对最大值Ratings@Tj
= 25啊
C(除非另有指明)
象征单位
VDS V
vg V
ID@TA = 25℃
ID@TA = 70℃
IDM一
PD@TA = 25℃W
W /℃
测试℃
TJ℃
符号价值单位
Rthj-a最大热阻,连接环境3 90℃/W
数据及规格如有更改,恕不另行通知
无卤产品
热数据
参数
总功耗1.38
-55 ~ 150
工作结温度范围-55至150
线性降额系数
储存温度范围
排水Current3
, VGS @ 10v -1.5
脉冲漏极电流1 -10
0.01
参数
漏源极电压
Gate-Source电压
排水Current3
, VGS @ 10v
AP2303GN-HF
评级
年代
SOT-23
来自APEC的高级功率mosfet为设计人员提供了
快速开关,低导通电阻和成本效益的最佳组合。
SOT-23封装广泛用于商业-工业
表面贴装应用,适合低电压应用,如
作为DC/DC转换器。
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