MC1413BDR2G
描述：开态输入电压(VI(on)@Vce,Ic)：3V@2V,300mA 集电极电流(Ic)：500mA 集射极饱和压降(VCE(sat)@Ii,Ic)：1.1V@500uA,350mA 开态输入电流(Ii@Vi)：930uA@3.85V 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
产品概述/相关型号 |
|---|---|---|
| Source Content uid | MC1413BDR2G |
MC1413 MC1413B, NCV1413B 高电压，大电流 达林顿晶体管阵列 这些阵列中的七个NPN达林顿连接晶体管是 非常适合驱动灯，继电器，或打印机锤在各种 工业和消费应用。它们的高击穿电压 内部抑制二极管保证了问题的自由 与感性负载有关。峰值涌流至500毫安 允许他们开白炽灯。 具有2.7 k系列输入电阻的MC1413, B非常适合 使用5.0 V TTL或CMOS逻辑的系统。 特性 •提供Pb−免费包* •NCV前缀用于汽车和其他需要站点的应用 和控制变化 相关型号MC7812BDTRKG |
| Brand Name | onsemi | |
| 是否无铅 |  不含铅 |
|
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 1998480695 | |
| 零件包装代码 | SOIC 16 LEAD | |
| 包装说明 | SOIC-16 | |
| 针数 | 16 | |
| 制造商包装代码 | 751B-05 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| Country Of Origin | Mainland China | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| Factory Lead Time | 4 weeks | |
| 风险等级 | 0.38 | |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
| YTEOL | 7.8 | |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | |
| 配置 | COMPLEX | |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 1000 | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 元件数量 | 7 | |
| 端子数量 | 16 | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 极性/信道类型 | NPN | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
