MC74HC165ADR2G
描述：元件数：1 每个元件位数：8 功能：并行或串行至串行 电源电压：2V~6V
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
产品概述/相关型号 |
|---|---|---|
| Source Content uid | MC74HC165ADR2G |
8位串行或 并行输入/ 串行输出移位寄存器 高性能硅栅CMOS MC74HC165A的引脚与LS165相同。该设备 输入与标准CMOS输出兼容;和引体向上 电阻，它们与LSTTL输出兼容。 该器件是具有互补输出的8位移位寄存器 从最后一个阶段开始。可以将数据加载到寄存器中 平行的或串联的当串行移位/并联负载输入为 低，数据以并行方式异步加载。当串行 Shift/Parallel负载输入高时，数据被串行加载上 时钟或时钟抑制的上升沿(见功能表)。 2 -输入的NOR时钟可以通过两者的组合来使用 独立时钟源或通过指定其中一个时钟输入来实现 充当时钟抑制器。 特性 •输出驱动能力:10 LSTTL负载 •输出直接接口到CMOS, NMOS，和TTL •工作电压范围:2.0 ~ 6.0 V •低输入电流:1 A •CMOS器件的高抗噪特性 符合JEDEC标准规定的要求 7 . A •芯片复杂性:286场效应管或71.5等效门 •汽车和其他应用需要的NLV前缀 独特的场地和控制变更要求;原子能委员会−Q100 具备资质和PPAP能力 •这些设备不含铅、不含卤素，符合RoHS标准 相关型号MC7812BDTRKG |
| Brand Name | onsemi | |
| 是否无铅 |  不含铅 |
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| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 2061269087 | |
| 零件包装代码 | SOIC 16 LEAD | |
| 包装说明 | SOIC-16 | |
| 针数 | 16 | |
| 制造商包装代码 | 751B-05 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| Country Of Origin | Mainland China, Malaysia | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 | |
| Factory Lead Time | 41 weeks 4 days | |
| 风险等级 | 0.36 | |
| Samacsys Description | ON Semiconductor MC74HC165ADR2G, | |
| Samacsys Manufacturer | onsemi | |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
| YTEOL | 5.35 | |
| 计数方向 | RIGHT | |
| 系列 | HC/UH | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 长度 | 9.9 mm | |
| 逻辑集成电路类型 | PARALLEL IN SERIAL OUT | |
| 最大频率@ Nom-Sup | 20000000 Hz | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 位数 | 8 | |
| 功能数量 | 1 | |
| 端子数量 | 16 | |
| 最高工作温度 | 125 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码 | SOP | |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 传播延迟（tpd） | 225 ns | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | |
| 表面贴装 | YES | |
| 技术 | CMOS | |
| 温度等级 | MILITARY | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子节距 | 1.27 mm | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | |
| 宽度 | 3.9 mm | |
| 最小 fmax | 24 MHz |
