MC1413DR2G
描述：高电压，高电流达林顿晶体管驱动器阵列 这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
产品概述/相关型号 |
|---|---|---|
| 是否无铅 |  含铅 |
MC1413 MC1413B, NCV1413B 高电压，大电流 达林顿晶体管阵列 这些阵列中的七个NPN达林顿连接晶体管是 非常适合驱动灯，继电器，或打印机锤在各种 工业和消费应用。它们的高击穿电压 内部抑制二极管保证了问题的自由 与感性负载有关。峰值涌流至500毫安 允许他们开白炽灯。 具有2.7 k系列输入电阻的MC1413, B非常适合 使用5.0 V TTL或CMOS逻辑的系统。 特性 •提供Pb−免费包* •NCV前缀用于汽车和其他需要站点的应用 和控制变化 图1所示。代表性原理图 5.0 k 3.0 k 销9 1/7 Mc1413 (前视图) *有关我们的无铅策略和焊接细节的更多信息，请 下载安森美半导体焊接和安装技术参考 手册,SOLDERRM / D。 http://onsemi.com PDIP−16 P后缀 例648 SOIC−16 D后缀 例751 b 设备包装运输† 订购信息 MC1413D SOIC−16 48 Units/Rail MC1413DR2 SOIC - 16 2500磁带和卷轴 参见设备标记中的一般标记信息 相关型号MC7812BDTRKG |
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 1380019662 | |
| 零件包装代码 | SOIC | |
| 包装说明 | LEAD FREE, CASE 751B-05, SOIC-16 | |
| 针数 | 16 | |
| 制造商包装代码 | CASE 751B-05 | |
| Reach Compliance Code | unknown | |
| 风险等级 | 6.42 | |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V | |
| 配置 | COMPLEX | |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 1000 | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED | |
| 元件数量 | 7 | |
| 端子数量 | 16 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 极性/信道类型 | NPN | |
| 认证状态 | COMMERCIAL | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
