DMG1012T-7
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：630mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@4.5V,600mA N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1595512392 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 96 weeks |
| 风险等级 | 1.55 |
| Samacsys Description | MOSFET N-Channel 20V 0.63A SOT523 Diodes Inc DMG1012T-7 N-channel MOSFET Transistor, 0.63 A, 20 V, 3-Pin SOT-523 |
| Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 6.95 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.63 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5.37 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.28 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
