SN74HC595DR
详细参数
参数名称 | 参数值 |
产品概述/相关型号 |
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Source Content uid | SN74HC595DR |
1功能 •8位串行输入/并行输出移位寄存器 •宽工作电压范围从2V到6V •高电流三态输出可驱动多达15个低功率肖特基晶体 散装管晶体管逻辑器件(LSTTL)负载 •低功耗:80μA (Max) ICC •TPD = 13ns(典型值) •电压为5V时,输出驱动为±6mA •低输入电流:1μA(最大) 移位寄存器具有直接清零功能 •对于符合MIL-PRF-38535标准的产品, 除非另有说明,否则测试所有参数。尽管如此 其他产品,生产过程中并不一定包括所有参数的测试。 2应用程序 •网络交换机 •电力基础设施 •LED显示屏 •服务器 3注意 SNx4HC595器件包括一个8位D类内存寄存器 发送8位串行输入/并行输出移位寄存器。存储寄存器 它有并联三态输出。有单独的移位寄存器和存储寄存器 唯一的时钟。移位寄存器有一个直接覆盖明确的零 (SRCLR)输入和串行(SER)输入之和用于级联结构 串行输出。OE (Output enabled end)输入为高压时输出 处于高阻抗状态。 相关型号TPS65218D0RSLR |
Brand Name | Texas Instruments | |
是否无铅 | ![]() |
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是否Rohs认证 | ![]() |
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生命周期 | Active | |
Objectid | 1414956161 | |
零件包装代码 | SOIC | |
包装说明 | GREEN, PLASTIC, MS-012AC, SOIC-16 | |
针数 | 16 | |
Reach Compliance Code | compliant | |
Country Of Origin | Malaysia, Mexico | |
ECCN代码 | EAR99 | |
HTS代码 | 8542.39.00.01 | |
风险等级 | 0.47 | |
Samacsys Description | 8-Bit Shift Register 3-ST SN74HC595DRG4 | |
Samacsys Manufacturer | Texas Instruments | |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
YTEOL | 15 | |
其他特性 | PARALLEL OUTPUT IS REGISTERED | |
计数方向 | RIGHT | |
系列 | HC/UH | |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | |
JESD-609代码 | e3 | |
长度 | 9.9 mm | |
负载电容(CL) | 50 pF | |
逻辑集成电路类型 | SERIAL IN PARALLEL OUT | |
最大频率@ Nom-Sup | 25000000 Hz | |
最大I(ol) | 0.0078 A | |
湿度敏感等级 | 1 | |
位数 | 8 | |
功能数量 | 1 | |
端子数量 | 16 | |
最高工作温度 | 85 °C | |
最低工作温度 | -40 °C | |
输出特性 | 3-STATE | |
输出极性 | TRUE | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码 | SOP | |
封装等效代码 | SOP16,.25 | |
封装形状 | RECTANGULAR | |
封装形式 | SMALL OUTLINE | |
包装方法 | TR | |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | |
最大电源电流(ICC) | 0.08 mA | |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 34 ns | |
传播延迟(tpd) | 250 ns | |
认证状态 | Not Qualified | |
施密特触发器 | NO | |
座面最大高度 | 1.75 mm | |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V | |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | |
表面贴装 | YES | |
技术 | CMOS | |
温度等级 | INDUSTRIAL | |
端子面层 | MATTE TIN | |
端子形式 | GULL WING | |
端子节距 | 1.27 mm | |
端子位置 | DUAL | |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
触发器类型 | POSITIVE EDGE | |
宽度 | 3.9 mm | |
最小 fmax | 24 MHz |