TO-220

IRF3205PBF

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,62A
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产品详情

参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1992621586
零件包装代码 TO-220AB
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 1.55
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 264 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 75 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 390 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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