2N7002K
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@5V,400mA N沟道
NCE n沟道增强模式功率MOSFET
一般特征
●VDS = 60v, id = 0.3a
RDS () & lt;3Ω @ vgs = 5v
RDS () & lt;2Ω @ vgs = 10v
ESD等级:HBM 2300V
●高功率和电流处理能力
●获得无铅产品
●表面安装封装
应用程序
直接逻辑级接口:TTL/CMOS
●驱动:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、
存储器、晶体管等。
●电池供电系统
●固态继电器
原理图
标记和别针分配
SOT-23俯视图
包装标记和订购信息
设备打标设备设备包装卷轴尺寸胶带宽度数量
7002K 2N7002K SOT-23 Ø180mm 8毫米3000个单位
绝对最高额定值(TA=25℃，除非另有说明)
参数符号限制单位
漏源电压VDS 60v
栅源电压VGS±20v
Ta =25℃0.3
连续漏极电流(TJ =150℃)TA =100℃
漏极脉冲电流(注1)IDM 0.8 A
最大功耗PD 0.35 W
工作结和储存温度范围TJ,TSTG -55至150℃
热特性
结对环境热阻(注
相关型号
NCEP15T14
NCE65TF099
NCE65TF130
NCE65TF180
NCEP60T20
NCEP60T18
NCEP02T10
NCEP40T17A
NCE6080A
NCE60H15A
