CS18N50FA9R

总体描述:

CS18N50F A9R，硅n通道增强型

vdmosfet是由平面自对准技术获得的

降低导通损耗，提高开关性能

性能和增强雪崩能量。晶体管

可用于各种功率开关电路的系统

小型化，效率更高。包裹表格是

TO-220F，符合RoHS标准。

特点:

l快速切换

l低导通电阻(Rdson≤0.35Ω)

低栅极电荷(典型数据:45.7nC)

l低反向转移电容(典型:5.97 pF)

l 100%单脉冲雪崩能量测试

应用程序:

适配器和充电器的电源开关电路。

绝对温度(Tj= 25℃，除非另有说明):

符号参数评定单位

漏源电压500v

ID

连续漏极电流TC = 25°C 18 A

连续漏极电流TC = 100°C 11a

IDM

a1

脉冲漏极电流TC = 25°C 72 A

VGS栅源电压±30v

东亚峰会

a2

单脉冲雪崩能量999 mJ

dv / dt a3

二极管峰值恢复dv/dt 5.0 V/ns

PD

功耗TC = 25℃42.8 W

降额系数大于25℃0.34 W/℃

TJ,Tstg工作结和储存温度范围150，-55至150℃

焊接的最高温度

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