CR12N65FA9K
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：40W 导通电阻
总体描述:
CR12N65F A9K，硅n沟道增强
vdmosfet是由平面自对准技术获得的
降低导通损耗，提高开关性能
性能和增强雪崩能量。晶体管
可用于各种功率开关电路的系统
小型化，效率更高。包裹表格是
TO-220F，符合RoHS标准。
特点:
快速交换
低导通电阻
低栅极电荷
低反向转移电容
100%单脉冲雪崩能量测试
应用程序:
适配器和充电器的电源开关电路。
绝对温度(除非另有说明，Tc= 25℃):
符号参数评定单位
漏源电压650 V
ID
连续漏极电流12a
连续漏极电流TC = 100°C 7.5 A
IDM
a1
脉冲漏极电流48a
VGS栅源电压±30v
东亚峰会
a2
单脉冲雪崩能量530兆焦
dv / dt a3
二极管峰值恢复dv/dt 5.0 V/ns
PD
功耗40w
降额系数大于25℃0.28 W/℃
TJ,Tstg工作结和储存温度范围150，-55至150℃
最高焊接温度300℃
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