CR7N65FA9K

总体描述:

cr7n65fa9k，硅n沟道增强

vdmosfet是由平面自对准技术获得的

降低导通损耗，提高开关性能

性能和增强雪崩能量。晶体管

可用于各种功率开关电路的系统

小型化，效率更高。包裹表格是

TO-220F，符合RoHS标准。

特点:

l快速切换

l低导通电阻

l低栅极电荷

l低反向转移电容

l 100%单脉冲雪崩能量测试

应用程序:

适配器和充电器的电源开关电路。

绝对温度(除非另有说明，Tc= 25℃):

符号参数评定单位

漏源电压650 V

ID

连续漏极电流7a

持续漏极电流TC = 100°C 4.4 A

IDM

a1

脉冲漏极电流28a

VGS栅源电压±30v

东亚峰会

a2

单脉冲雪崩能量350 mJ

dv / dt a3

二极管峰值恢复dv/dt 5.0 V/ns

PD

功耗36w

降额系数大于25℃0.28 W/℃

TJ,Tstg工作结和储存温度范围150，-55至150℃

最高焊接温度300℃

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