2N7002K-T1-GE3
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
相关型号/产品概述 |
|---|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
特性 •无卤素符合IEC 61249-2-21 定义 •低导通电阻:2 Ω •低阈值:2v(类型) •低输入电容:25pf •快速开关速度:25ns •低输入输出漏电 •TrenchFET®功率MOSFET •2000v ESD保护 •符合RoHS指令2002/95/EC 好处 低偏置电压 •低压运行 •无需缓冲即可轻松驱动 •高速电路 •低误差电压 应用程序 •直接逻辑级接口:TTL/CMOS •驱动:继电器，螺线管，灯，锤子，显示器， 存储器、晶体管等。 •电池供电系统 •固态继电器 相关型号 SI2301CDS-T1-GE3 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
|
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 2005586948 | |
| 零件包装代码 | SOT-23 | |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | |
| 针数 | 3 | |
| Reach Compliance Code | unknown | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| HTS代码 | 8541.21.00.95 | |
| 风险等级 | 0.49 | |
| Samacsys Description | 2N7002K-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin | |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
| YTEOL | 6.5 | |
| 其他特性 | LOW THRESHOLD, ESD PROTECTION, FAST SWITCHING | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.3 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 4 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-236AB | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | |
| 功耗环境最大值 | 0.35 W | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
