TP0610K-T1-GE3
描述：类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：185mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,500mA P沟道,-60V,-185mA,6Ω@-10V
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
相关型号/产品概述 |
|---|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
特性 •无卤素符合IEC 61249-2-21 定义 •TrenchFET®功率MOSFET •高侧开关 •低导通电阻:6 •低阈值:- 2v(类型) •快速开关速度:20ns(典型) •低输入电容:20pf(类型) •2000v ESD保护 •符合RoHS指令2002/95/EC 应用程序 •驱动:继电器，螺线管，灯，锤子，显示器， 存储器、晶体管等。 •电池供电系统 •电源转换器电路 •固态继电器 好处 •易于驱动开关 •低偏移(错误)电压 •低压运行 •高速电路 •无需缓冲即可轻松驱动 相关型号 SI2301CDS-T1-GE3 |
| 生命周期 | Active | |
| Objectid | 2005078752 | |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| 风险等级 | 0.86 | |
| Samacsys Description | TP0610K-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 185 mA, 60 V, | |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | |
| Samacsys Modified On | 2023-06-22 02:40:14 | |
| YTEOL | 6.5 | |
| 其他特性 | ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.185 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 6 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-236 | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.35 W | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
