SOT-23

SI2343CDS-T1-GE3

描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.9A 功率(Pd):1.25W;2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V,4.2A P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V
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产品详情

详细参数

参数名称 参数值

相关型号/产品概述

是否无铅 不含铅 不含铅

绝对最大额定值(ta = 25c,除非另有说明)

参数符号5秒稳态单位

漏源电压VDS -30

20 .门源电压VGS 

V

a、b

Ta = 25c - 4.0 -3.1

连续漏极电流(TJ = 150C)a, b

Ta = 70c

ID

-3.2 - -2.5

脉冲漏极电流IDM -15

一个

连续源电流(二极管导通)a, b IS -1.0 -0.6

Ta = 25c 1.25 0.75

最大功耗a, b

Ta = 70c

Pd 0.8 0.48

W

工作结和存储温度范围TJ, Tstg -55至150℃

热阻等级

参数符号典型最大单位

t5 SEC 75 100

最大Junction-to-Ambienta

稳定状态

RthJA 120166 C/W

最大连接到脚(漏)稳态RthJF 40 50

C / W

笔记

a.表面安装在1“× 1”FR4板上。

b.脉冲宽度受最大结温限制。

Si2343DS

Vishay Siliconix新产品

www.vishay.com

2

文档编号:72079

s - 22199 -牧师。, 25-Nov-02

规格(tj = 25c,除非另有说明)

限制

最小类型最大单位

静态

漏源击穿电压V(BR)DSS VGS = 0 V, ID = -250 A -30

门限电压VGS(th) VDS = VGS, ID = - 250a -1 -3

V

闸体泄漏IGSS VDS = 0 V, VGS = 20 V 100 nA

VDS = -24 v, VGS = 0 v -1

零栅电压漏极电流IDSS VDS = - 24v, VGS = 0 V, TJ = 55C - 10a

on - state Drain current ID(on) VDS - 5v, VGS = - 10v - 15a

VGS = -10 v, id = -4.0 a 0.043 0.053

漏源导通电阻(导通)

VGS = -4.5 v, id = -3.1 a 0.068 0.086

正向跨导gfs VDS = -5 V, ID = -4.0 A 10 S

二极管正向电压VSD = -1.0 A, VGS = 0 V 0.7 -1.2 V

Dynamicb

总闸门收费qg14 21

栅极源电荷Qgs VDS = -15 V, VGS = -10 V

ID  -4.0 A 1.9 nC

栅漏电荷Qgd

我 -4.0 a

3.7

输入电容Ciss 540

输出电容损耗VDS = - 15v, VGS = 0, f = 1mhz 131pf

反向转移电容交叉105

Switchingc

2015年10月10日

开机时间

tr VDD = - 15v, RL = 15

15 25

td(下)

Id  -1.0 a, vgen = - 10v

Rg = 6  31 50

ns

断开时间

Tf 20 30

笔记

a.脉冲测试:PW 300s占空比2%。

b.仅用于设计辅助,不受生产测试的影响。

c.开关时间基本上与工作温度无关

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是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1312775539
零件包装代码 SOT-23
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 1.53
Samacsys Description Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin Vishay 
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7.12
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 5.9 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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