SI2343CDS-T1-GE3
详细参数
参数名称 | 参数值 |
相关型号/产品概述 |
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是否无铅 | ![]() |
绝对最大额定值(ta = 25c,除非另有说明) 参数符号5秒稳态单位 漏源电压VDS -30 20 .门源电压VGS V a、b Ta = 25c - 4.0 -3.1 连续漏极电流(TJ = 150C)a, b Ta = 70c ID -3.2 - -2.5 脉冲漏极电流IDM -15 一个 连续源电流(二极管导通)a, b IS -1.0 -0.6 Ta = 25c 1.25 0.75 最大功耗a, b Ta = 70c Pd 0.8 0.48 W 工作结和存储温度范围TJ, Tstg -55至150℃ 热阻等级 参数符号典型最大单位 t5 SEC 75 100 最大Junction-to-Ambienta 稳定状态 RthJA 120166 C/W 最大连接到脚(漏)稳态RthJF 40 50 C / W 笔记 a.表面安装在1“× 1”FR4板上。 b.脉冲宽度受最大结温限制。 Si2343DS Vishay Siliconix新产品 www.vishay.com 2 文档编号:72079 s - 22199 -牧师。, 25-Nov-02 规格(tj = 25c,除非另有说明) 限制 最小类型最大单位 静态 漏源击穿电压V(BR)DSS VGS = 0 V, ID = -250 A -30 门限电压VGS(th) VDS = VGS, ID = - 250a -1 -3 V 闸体泄漏IGSS VDS = 0 V, VGS = 20 V 100 nA VDS = -24 v, VGS = 0 v -1 零栅电压漏极电流IDSS VDS = - 24v, VGS = 0 V, TJ = 55C - 10a on - state Drain current ID(on) VDS - 5v, VGS = - 10v - 15a VGS = -10 v, id = -4.0 a 0.043 0.053 漏源导通电阻(导通) VGS = -4.5 v, id = -3.1 a 0.068 0.086 正向跨导gfs VDS = -5 V, ID = -4.0 A 10 S 二极管正向电压VSD = -1.0 A, VGS = 0 V 0.7 -1.2 V Dynamicb 总闸门收费qg14 21 栅极源电荷Qgs VDS = -15 V, VGS = -10 V ID -4.0 A 1.9 nC 栅漏电荷Qgd 我 -4.0 a 3.7 输入电容Ciss 540 输出电容损耗VDS = - 15v, VGS = 0, f = 1mhz 131pf 反向转移电容交叉105 Switchingc 2015年10月10日 开机时间 tr VDD = - 15v, RL = 15 15 25 td(下) Id -1.0 a, vgen = - 10v Rg = 6 31 50 ns 断开时间 Tf 20 30 笔记 a.脉冲测试:PW 300s占空比2%。 b.仅用于设计辅助,不受生产测试的影响。 c.开关时间基本上与工作温度无关 相关型号 SI2301CDS-T1-GE3 |
是否Rohs认证 | ![]() |
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生命周期 | Active | |
Objectid | 1312775539 | |
零件包装代码 | SOT-23 | |
包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |
针数 | 3 | |
Reach Compliance Code | compliant | |
ECCN代码 | EAR99 | |
HTS代码 | 8541.29.00.95 | |
风险等级 | 1.53 | |
Samacsys Description | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin Vishay | |
Samacsys Manufacturer | Vishay | |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
YTEOL | 7.12 | |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
最小漏源击穿电压 | 30 V | |
最大漏极电流 (ID) | 5.9 A | |
最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω | |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
JEDEC-95代码 | TO-236 | |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | |
JESD-609代码 | e3 | |
湿度敏感等级 | 1 | |
元件数量 | 1 | |
端子数量 | 3 | |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
最高工作温度 | 150 °C | |
最低工作温度 | -55 °C | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
封装形状 | RECTANGULAR | |
封装形式 | SMALL OUTLINE | |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | |
最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | |
表面贴装 | YES | |
端子面层 | MATTE TIN | |
端子形式 | GULL WING | |
端子位置 | DUAL | |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
晶体管应用 | SWITCHING | |
晶体管元件材料 | SILICON |