汽车n通道60 V (D-S) 175°C MOSFET

打标代码:8X

特性

•TrenchFET®功率MOSFET

•AEC-Q101合格

•100% Rg和美国测试

•物料分类:

有关合规性的定义，请参阅

99912年www.vishay.com/doc ?

笔记

a.脉冲试验;脉宽≤300 μs，占空比≤2%。

b.安装在1英寸方形PCB (FR-4材料)上时。

c.参数验证正在进行中。

产品目录

VDS (v) 60

VGS = 10 V 0.150时的RDS(on) (Ω)

RDS(on) (Ω)在VGS = 4.5 V 0.164

Id (a) 2.3

配置一个

俯视图

SOT-23 (- 236)

1

G

2

年代

D

3.

D

G

年代

n沟道MOSFET

订购信息

包SOT-23

无铅(Pb)和无卤SQ2308CES-T1-GE3

绝对最大额定值(TC = 25°C，除非另有说明)

参数符号限制单元

漏源电压VDS 60

V

门源电压VGS±20

持续漏极电流

Tc = 25°c

ID

2.3

一个

c = 125°c

连续源电流(二极管导通)是2.4

脉冲漏极电流a IDM 9

单脉冲雪崩电流L = 0.1 mH

IAS 7

单脉冲雪崩能量EAS 2.5 mJ

最大功耗a TC = 25℃

PD

2

W

Tc = 125℃0.6

工作结和存储温度范围TJ, Tstg -55至+175°C

热阻等级

参数符号限制单元

连接到环境的PCB安装b RthJA 120

°C / W

连接到脚(排水)rthjf80

SQ2308CES

www.vishay.com Vishay Siliconix

s14系列- 0552转速。文件编号:63877

技术咨询请联系:automostechsupport@vishay.com

本文件如有更改，恕不另行通知。此处和本文档描述的产品

是否受到具体免责声明的约束，请参阅www.vishay.com/doc?91000

笔记

a.脉冲试验;脉宽≤300 μs，占空比≤2%。

b.设计保证，不经生产测试。

c.与工作温度无关。

超过“绝对最大额定值”的压力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级和功能操作

不暗示在这些条件下或超出说明书操作部分中所指示的任何其他条件下的设备。暴露于绝对最大值

长时间处于额定状态可能会影响设备的可靠性。

规格(TC = 25°C，除非另有说明)

参数符号测试条件最小。MAX。单位

静态

漏源击穿电压VDS VGS = 0, ID = 250 μA 60 - -

V

门源阈值电压VGS(th) VDS = VGS, ID = 250 μA 1.5 2.0 2.5

栅源泄漏IGSS VDS = 0 V, VGS =±20 V -±100 nA

零栅极电压漏极电流IDSS

VGS = 0 v VDS = 60 v -1

VGS = 0 v VDS = 60 v, tj = 125℃- 50 μa

VGS = 0 v VDS = 60 v, tj = 175℃- 150℃

导通漏电流a ID(on) VGS = 10v VDS≥5v 10a

漏源导通电阻a RDS(on)

VGS = 10 v id = 2.3 a - 0.125 0.150

Ω

VGS = 10 v, id = 2.3 a, tj = 125°c - 0.250

VGS = 10 v, id = 2.3 a, tj = 175°c - 0.325

VGS = 4.5 v, id = 2.1 a - 0.136 0.164

正向跨导bgfs VDS = 15 V, ID = 2.3 A - 5.5 S

动态b

输入电容Ciss

VGS = 0 V VDS = 30 V, f = 1

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