标记代码:9Axxx

特性

•TrenchFET®功率MOSFET

•通过AEC-Q101认证

•100% Rg和美国检测

•物料分类:

有关合规性的定义，请参阅

99912年www.vishay.com/doc ?

笔记

a.脉冲试验;脉宽≤300 μs，占空比≤2%。

b.当安装在1英寸方形PCB (FR4材料)上时。

产品目录

VDS (v) -40

RDS(on) (Ω)在VGS = -10 V 0.094时

RDS(on) (Ω)在VGS = -4.5 V 0.188时

Id (a) -4.1

配置一个

p沟道MOSFET

年代

俯视图

SOT-23 (

订购信息

包SOT-23

无铅(Pb)和无卤SQ2389ES-T1-GE3

绝对最大额定值(TC = 25°C，除非另有说明)

参数符号限制单元

漏源电压VDS -40

V

门源电压VGS±20

持续漏极电流

Tc = 25°c

ID

-4.1

一个

Tc = 125°c -2.4

连续源电流(二极管导通)IS -3.6

脉冲漏极电流a IDM -16

单脉冲雪崩电流L = 0.1 mH

IAS -12

单脉冲雪崩能量EAS 7.2 mJ

最大功耗a TC = 25℃

PD

3.

W

Tc = 125°c

工作结和存储温度范围TJ, Tstg -55至+175°C

热阻

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