特性

•TrenchFET®功率MOSFET

•100% Rg测试

•物料分类:

有关合规性的定义，请参阅

99912年www.vishay.com/doc ?

应用程序

•负载开关

•笔记本适配器开关

•DC/DC转换器

•电源管理

注:

a.根据TC = 25℃。

b.表面安装在1“× 1”FR4板上。

C. t = 5 s。

d.稳态条件下的最大值为175℃/W。

Mosfet产品概述

VDS (V) RDS(on) (on)最大值。ID (A) A Qg(类型)

- 30

0.042在VGS = - 10 V - 5

0.054在VGS = - 6 V - 4.4 - 6.9 nC

0.068在VGS = - 4.5 V - 3.9

G

- - - - - - 236

(SOT-23)

年代

D

俯视图

2

3.

1

Si2347DS (F7) *

*标记代码

订购信息:Si2347DS-T1-GE3(无铅(Pb)和无卤)

绝对最大额定值(TA = 25°C，除非另有说明)

参数符号限制单位

漏源电压VDS - 30v

门源电压VGS±20

连续漏极电流(TJ = 150°C)

Tc = 25°c

ID

- 5

一个

Tc = 70°c - 4

TA = 25°C - 3.8b, C

TA = 70℃- 3b, C

脉冲漏极电流(t = 300µs) IDM - 20

连续源漏二极管电流TC = 25°C IS

- 1.4

TA = 25°C - 0.63b, C

最大功耗

Tc = 25°c

PD

1.7

W

c = 70°c

TA = 25°C 1.20b, C

TA = 70°C 0.6b, C

工作结和存储温度范围TJ, Tstg - 55至150°C

热阻等级

参数符号典型最大单位

最大连接环境，d5 s RthJA 100 130°C/W

最大连接到脚(漏)稳态RthJF 60 75

www.vishay.com

2

文档编号:62827

向- 0111转速。, 21-Jan-13

威世Siliconix

Si2347DS

本文件如有更改，恕不另行通知。

本文所描述的产品和本文件均受www.vishay.com/doc?91000所列的特定免责声明的约束

技术咨询请联系:pmostechsupport@vishay.com

注:

a.脉冲试验;脉冲宽度300µs，占空比2%。

b.设计保证，不经生产测试。

超过“绝对最大额定值”的压力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级和功能操作

不暗示在这些条件下或超出说明书操作部分中所指示的任何其他条件下的设备。暴露于绝对最大值

长时间处于额定状态可能会影响设备的可靠性。

MOSFET规格(TJ = 25°C，除非另有说明)

参数符号测试条件

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