SI2319CDS-T1-GE3
详细参数
| 参数名称 | 参数值 |
相关型号/产品概述 |
|---|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
p通道40v (D-S) MOSFET 特性 •无卤素符合IEC 61249-2-21 定义 •TrenchFET®功率MOSFET •100% Rg测试 •符合RoHS指令2002/95/EC 应用程序 •负载开关 •DC/DC转换器 注: a.根据TC = 25℃。 b.表面安装在1“× 1”FR4板上。 C. t = 5 s。 d.稳态条件下最高为166℃/W。 产品目录 VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (A) A Qg (type .) - 40 0.077在VGS = - 10 V - 4.4 7数控 0.108在VGS = - 4.5 V - 3.7 G - - - - - - 236 (SOT-23) 年代 D 俯视图 2 3. 1 Si2319CDS (P7) * *标记代码 订购信息:Si2319CDS-T1-GE3(无铅、无卤) 年代 G D p沟道MOSFET 除非另有说明，绝对最大额定值TA = 25°C 参数符号限制单位 漏源电压VDS - 40 V 门源电压VGS±20 连续漏极电流(TJ = 150°C) Tc = 25°c ID - 4.4 一个 Tc = 70°c - 3.5 TA = 25°C - 3.1b, C TA = 70℃- 2.5℃，C 脉冲漏极电流IDM - 20 连续源漏二极管电流 Tc = 25°c 是 - 2.1 TA = 25℃- 1b℃ 最大功耗 Tc = 25°c PD 2.5 相关型号 SI2301CDS-T1-GE3 |
| 生命周期 | Not Recommended | |
| Objectid | 1466259617 | |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| Samacsys Description | MOSFET P-Ch 40V 3.1A TrenchFET SOT23 Vishay | |
| Samacsys Manufacturer | Vishay | |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
| YTEOL | 3 | |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V | |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.4 A | |
| 最大漏源导通电阻 | 0.077 Ω | |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |
| JEDEC-95代码 | TO-236 | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 湿度敏感等级 | 1 | |
| 元件数量 | 1 | |
| 端子数量 | 3 | |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | |
| 最高工作温度 | 150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
| 晶体管应用 | SWITCHING | |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
