AO9926B
描述：类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,7.6A
产品概述
VDS公司
ID (VGS=10V时)7.6A
RDS(ON) (VGS=10V时)<23 mΩ
RDS(ON) (VGS =4.5V) <26米Ω
RDS(ON) (VGS=2.5V) <34米Ω
RDS(ON) (VGS=1.8V) <52米Ω
TA = 70 1.28°C
结和存储温度范围-55至150°C
热特性
参数类型最大单位
除非另有说明，绝对最大额定值TA=25°C
20 v
漏源电压
AO9926B采用先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON)，低栅极电荷和操作
栅极电压低至1.8V，同时保持12V电压
vg (MAX)评级。本装置适用于单向或双向负载开关。
V
最大单位
TA = 70°C
功耗B
PD
脉冲漏极电流C
连续排水
当前的
TA = 25°C
栅源电压±12v
TA = 25°C
最大结导联°C/W
最大连接对环境°C/W A D
最大连接对环境A
SOIC-8
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