AO4447A
产品概述
VDS公司
ID (VGS=-10V时)-18.5A
RDS(ON) (VGS=-10V) <5.8Ω
RDS(ON) (VGS=-4.5V) <8.2Ω
典型的ESD保护HBM 3B级
应用程序100%美国测试
30V p沟道MOSFET
可订购部件编号，包装类型，最小订购数量
•壕功率MOSFET技术-30V
•低RDS(ON)
•ESD保护
•符合RoHS和无卤标准
AO4447A SO-8磁带和卷轴3000
•系统/负载开关
•电池开关
•USB-PD负载开关
SOIC-8
俯视图
D
D
D
D
年代
年代
年代
G
俯视图
1
2
3.
4
8
7
6
5
G
D
年代
象征
VDS公司
vg
IDM
IAS
雪崩能量L=0.1mH C EAS
TJ
,测试
象征
T≤10s
稳态
稳态Rθ杰
TA = 25°C
雪崩电流C
热特性
W
ID
54个
-74年
146年乔丹
-18.5
参数最大值
°C
单位
结和存储温度范围-55至150
Typ
最大连接对环境A
°C / R Wθ农协
31
59
40
AO4447A SO-8磁带和卷轴3000
V
一个
除非另有说明，绝对最大额定值TA=25°C
±20
V
最大单位
TA = 25°C
TA = 70°C
最大结导联°C/W
最大连接对环境°C/W A D
16
75
24
功耗B TA=70℃2.0
PD
-30年
3.1
Gate-Source电压
脉冲漏极电流C
-14.5
参数
漏源极电压
连续排水
当前的
Rev.5.0: 2017年10月www.aosmd.com第1页共5页
AO4447A
最小类型最大单位
BVDSS - 30v
Vds = -30v, vgs = 0v -1
TJ = 55°C 5
Igss±10µa
VGS(th)门阈值电压-1.2 -1.7 -2.2 V
4.7 - 5.8
Tj =125°c 6.6 8.2
6.3 8.2 mΩ
gFS 65s
VSD -0.66 -1 v
是- 4a
Ciss 5020pf
损耗815pf
十字615pf
Rg 125 250 Ω
路上
(10V) 93 130 nC
路上
(4.5V) 46 nC
Qgs 14 nC
Qgd 21 nC
tD(on) 180ns
Tr 280 ns
tD(off) 1400 ns
Tf 830ns
mΩ
Vgs = -10v, vds = -15v, id = -18.5a
登机口总收费
电气特性(TJ=25°C，除非另有说明)
静态参数
参数条件
栅极电阻f=1MHz
零栅极电压漏极电流µA
漏源击穿电压ID=-250µA, VGS=0V
RDS(ON)静态漏源导通电阻
栅源电荷
闸门排水费
登机口总收费
切换参数
开机延迟时间
VDS = 0 v, vg =±16 v
最大体-二极管连续电流
输入电容
闸体泄漏电流
断开时延
关断下降时间
Vgs = -10v, vds = -15v, rl =0.8Ω，
RGEN = 3Ω
二极管正向电压
动态参数
vg = -4.5 v, ID = -16
接通上升时间
反向转移电容
VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz
VDS = vg, ID = -250µ
输出电容
向前跨导
= 1, vg v = 0
VDS = 5 v, ID = -18.5
vg = -10 v, ID = -18.5
Tf 830ns
TRR 17 ns
Qrr 53 nC
应用或使用作为生命支持设备或系统的关键组件是未经授权的。Aos没有
承担因此类应用或使用其产品而产生的任何责任。Aos保留改进的权利
产品设计、功能及可靠性不另行通知。
体二极管反向回收电荷
二极管反向恢复时间
如果= -18.5,di / dt /µs = 500
关断下降时间
如果= -18.5,di / dt /µs = 500
A.测量RθJA值时，将器件安装在1in2 FR-4板上，厚度为2z。铜，在静止空气环境中，TA =25°C。的
在任何给定应用中的价值取决于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的结对环境热阻。
C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频和占空比来保持的
initialTJ = 25°C。
D. RθJA是从结到引线RθJL和引线到环境的热阻抗之和。
E.图1至图6中的静态特性是使用<300µs脉冲，占空比0.5% max获得的。
F.这些曲线基于连接对环境的热阻抗，这是用安装在1in2 FR-4板上的设备测量的
2盎司。铜，假设最大结温TJ(MAX)=150℃。SOA曲线提供单个脉冲额定值。
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