SOP-8

AO4419

描述:类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9.7A 功率(Pd):3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9.7A P-MOS
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AO4419

最小类型最大单位

BVDSS - 30v

Vds = -30v, vgs = 0v -1

TJ = 55°C 5

IGSS±100 nA

VGS(th)门阈值电压-1.5 -2.0 -2.5 V

Id (on) -70 a

16.5 20

Tj =125°c 24 29

26 35 mΩ

gFS 27s

VSD -0.75 -1 v

是- 4a

Ism - 70a

Ciss 1040pf

损耗180pf

交叉125pf

Rg 2 4 6 Ω

路上

(10V) 19 nC

路上

(4.5V) 9.6 nC

Qgs 3.6 nC

Qgd 4.6 nC

tD(on) 10ns

Tr 5.5 ns

tD(off) 26 ns

Tf 9 ns

TRR 11.5 ns

qr25 nC

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功能和可靠性不另行通知。

= 1, vg v = 0

VDS = 5 v, ID = -9.7

如果= -9.7,dI / dt /µs = 500

切换参数

最大体-二极管连续电流

输入电容

输出电容

开机延迟时间

动态参数

接通上升时间

反向转移电容

VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz

脉冲体-二极管电流

体二极管反向恢复电荷IF=-9.7A, dI/dt=500A/µs

断开时延

Vgs = -10v, vds = -15v, id = -9.7a

栅源电荷

闸门排水费

登机口总收费

栅极电阻VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

关断下降时间

登机口总收费

RDS(ON)静态漏源导通电阻

idsµ一

VDS = vg ID = -250µ

Vds = 0v, vgs =±20v

零栅极电压漏电流

闸体泄漏电流

二极管反向恢复时间

漏源击穿电压ID=-250µA, VGS=0V

VDS vg = -10 v, v = 5

vg = -10 v, ID = -9.7

导通状态漏极电流

vg = -4.5 v, ID = 7

向前跨导

二极管正向电压

Vgs = -10v, vds = -15v, rl =1.5Ω,

RGEN = 3Ω

电气特性(TJ=25°C,除非另有说明)

静态参数

参数条件

A. RθJA的值是用安装在1in2上的器件测量的

FR-4板带20z。铜,在静止空气环境中,TA =25°C。的

在任何给定应用中的价值取决于用户的特定电路板设计。

B.功耗PD基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的结对环境热阻。

C.重复额定值,脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频和占空比来保持的

initialTJ = 25°C。

D. RθJA是从结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

E.图1至图6中的静态特性是使用<300µs脉冲,占空比0.5% max获得的。

F.这些曲线是基于安装在1in2上的设备测量的结对环境热阻抗

FR-4板带

2盎司。铜,假设最大连接点为

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