LM358DT
内部frequency-compensated
•大直流电压增益:100db
•宽带宽(单位增益):1.1 MHz
(温度补偿)
•每个操作人员的供电电流非常低
•大直流电压增益:100db
•宽带宽(单位增益):1.1 MHz
(温度补偿)
•每个操作人员的供电电流非常低
详细参数
参数名称 | 参数值 |
相关型号 |
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Source Content uid | LM358DT | STGWA40H120DF2 STPSC6H065B-TR STR912FAW46X6 STR912FAZ46H6 STR912FAZ44H6T STR912FAZ44H6 STS8DN6LF6AG STW10N105K5 STF28N60M2 STW3N150 STP33N65M2 STP6N120K3 STPS80150CW STISO621TR STP18N65M2 STP16N65M2 ST7580TR ST7580 |
Brand Name | STMicroelectronics | |
是否Rohs认证 | ![]() |
|
生命周期 | Active | |
Objectid | 1438883121 | |
零件包装代码 | SOIC | |
包装说明 | SOP-8 | |
针数 | 8 | |
Reach Compliance Code | compliant | |
Country Of Origin | Mainland China | |
ECCN代码 | EAR99 | |
HTS代码 | 8542.33.00.01 | |
Factory Lead Time | 54 weeks | |
风险等级 | 0.73 | |
Samacsys Description | LM358DT, Dual Operational Amplifier 1.1MHz 5 to 28V, 8-Pin SO | |
Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 | |
YTEOL | 5.9 | |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.2 µA | |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.15 µA | |
最小共模抑制比 | 60 dB | |
标称共模抑制比 | 85 dB | |
频率补偿 | YES | |
最大输入失调电压 | 9000 µV | |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | |
JESD-609代码 | e4 | |
长度 | 4.9 mm | |
低-偏置 | NO | |
低-失调 | NO | |
微功率 | NO | |
湿度敏感等级 | 1 | |
功能数量 | 2 | |
端子数量 | 8 | |
最高工作温度 | 70 °C | |
最低工作温度 | ||
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码 | SOP | |
封装等效代码 | SOP8,.25 | |
封装形状 | RECTANGULAR | |
封装形式 | SMALL OUTLINE | |
包装方法 | TR | |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | |
功率 | NO | |
可编程功率 | NO | |
认证状态 | Not Qualified | |
筛选级别 | AEC-Q100 | |
座面最大高度 | 1.75 mm | |
最小摆率 | 0.3 V/us | |
标称压摆率 | 0.6 V/us | |
最大压摆率 | 2 mA | |
供电电压上限 | 32 V | |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | |
表面贴装 | YES | |
技术 | BIPOLAR | |
温度等级 | COMMERCIAL | |
端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD SILVER | |
端子形式 | GULL WING | |
端子节距 | 1.27 mm | |
端子位置 | DUAL | |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | |
标称均一增益带宽 | 1100 kHz | |
最小电压增益 | 25000 | |
宽带 | NO | |
宽度 | 3.9 mm |