英飞凌 IPW60R060P7

描述：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：48A 功率(Pd)：164W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,15.9A

产品详情

参数名称	参数值	英飞凌infineon IPW60R060P7产品概述
是否Rohs认证	符合	600V coolmost P7功率晶体管 CoolMOS TM第七代平台是一项革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(5)原理设计，由英飞凌科技率先推出。600V CoolMOSiM P7系列是CoolMOSiM P6系列的后继产品。它结合了快迪开关SJMOSFET的优点和出色的易用性，例如非常低的振铃倾向，出色的体二极管抗硬换流的鲁棒性和出色的ESD能力，此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效，更紧凑和更冷。特性 "由于出色的换流坚固性，适用于硬开关和软开关(PFC和LLC) ·显著降低开关和传导损耗优异的ESD稳睡件>2kV(HBM) 与低Rps(低于10欧姆平方毫米)的竞争对手相比，更好的Roson/封装产品完全合格的acc。JEDEC用于工业应用好处通过低振铃趋势和跨PFC和PWM级的使用，易用性和快速设计由于低开关和传导损耗，简化了热管理 "由于>2 kV ESD保护，使用占地面积更小、制造质量更高的产品，实现了更高的功率密度峰决方案 "适用于各种应用和功率范围潜在的应用 PFC级，硬开关PWM级和谐振开关级，例如PC Silverbox，适配器，LCD和 PDP电视，照明，服务器，电信和UPS。请注意:对于MOSFET并联，一般建议在栅极或单独的图腾柱上使用铁氧体磁珠。相关型号： IPW60R040CFD7 IPW60R045CP IPW60R060P7 IPW60R099P7 IPW60R180P7 IPW90R120C3
生命周期	Active
Objectid	8299649132
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
风险等级	2.35
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2022-10-11 11:06:40
YTEOL	6.2
雪崩能效等级（Eas）	159 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏源导通电阻	0.06 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	151 A
表面贴装	NO
端子面层	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

产品中心

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ꄴ前一个：英飞凌 IRLML6244TRPBF

ꄲ后一个：英飞凌 IPD70R600P7S

	销售热线：
	13723484711

英飞凌 IPW60R060P7

英飞凌infineon IPW60R060P7产品概述