英飞凌 IR11682STRPBF
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
| 参数名称 | 参数值 |
英飞凌infineon IR11682STRPBF产品概述 |
|---|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
200V双副侧高速SR控制器，8引脚SOIC封装。
好处： 谐振半桥拓扑中同步整流的二次侧高速控制器 200V专有IC技术 最大400KHz开关频率 抗弹跳逻辑和UVLO保护 4A峰值关断驱动电流 微功率启动，超低静态电流 10.7V栅极驱动钳 80ns关断传播延迟 宽Vcc工作范围 直接感应两个同步整流器 逐周期MOT检查电路防止多个误触发GATE脉冲 元件数量最少，设计简单，无铅
潜在的应用： 交直流两用
相关型号： IR2183STRPBF |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
|
| 生命周期 | Transferred | |
| Objectid | 1047211230 | |
| 零件包装代码 | SOIC | |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | |
| 针数 | 8 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | EAR99 | |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 | |
| 风险等级 | 7.87 | |
| 高边驱动器 | YES | |
| 接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | |
| JESD-609代码 | e3 | |
| 长度 | 4.9 mm | |
| 湿度敏感等级 | 2 | |
| 功能数量 | 1 | |
| 端子数量 | 8 | |
| 标称输出峰值电流 | 4 A | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码 | SOP | |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | |
| 电源 | 15 V | |
| 认证状态 | Not Qualified | |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | |
| 子类别 | MOSFET Drivers | |
| 最大供电电压 | 18 V | |
| 最小供电电压 | 8.6 V | |
| 标称供电电压 | 15 V | |
| 表面贴装 | YES | |
| 端子面层 | MATTE TIN | |
| 端子形式 | GULL WING | |
| 端子节距 | 1.27 mm | |
| 端子位置 | DUAL | |
| 断开时间 | 0.12 µs | |
| 接通时间 | 0.2 µs | |
| 宽度 | 3.9 mm |
