IPA60R650CE
功率场效应晶体管，600V, 0.65欧姆，1元，n通道，硅，金属氧化物半导体场效应晶体管，TO-220AB, TO-220FP, 3引脚
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IPA60R650CE |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8058375253 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 7.62 |
| Samacsys Description | Infineon IPA60R650CE N-channel MOSFET Transistor, 9.9 A, 650 V, 3+Tab-Pin PG-TO-220 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2020-11-30 19:47:12 |
| YTEOL | 6 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 133 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏源导通电阻 | 0.65 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 19 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
