IMZ120R030M1H
功率场效应晶体管
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 145122069249 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 2.23 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2020-11-30 19:47:12 |
| YTEOL | 6.55 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 1200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 56 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.056 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 13 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-247 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 227 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON CARBIDE |
