IPG20N04S4L-11
功率场效应晶体管，20A I(D)， 40V, 0.0116ohm, 2元，n通道，硅，金属氧化物半导体场效应晶体管，绿色，塑料，TDSON-8
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IPG20N04S4L-11 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1032626711 |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 1.59 |
| Samacsys Description | Infineon IPG20N04S4L-11 Dual N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 40 V, 8-Pin TDSON |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 5.57 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 80 mJ |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0116 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
