252

CRSD082N10L2

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):78A 功率(Pd):101W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A
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产品详情

产品特点

•使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术

极低导通电阻RDS(on)

•优秀的QgxRDS产品(FOM)

•符合JEDEC标准

应用程序

•AC/DC快速充电器同步整流

•电池管理

•UPS(不间断电源)

VDS公司100 v

RDS(上)@10V typ

RDS @4.5V typ(上)

ID 78

7.2Ω

9米Ω

100%雪崩测试

CRSD082N10L2

包装标记和订购信息

VDS公司

价值

One hundred.

ID 2500pcs

参数

漏源极电压

连续漏极电流

TC = 25°C(硅极限)

TC = 25°C(包装极限)

TC = 100°C(硅极限)

脉冲漏极电流(TC = 25°C, tp受Tjmax限制)

象征

ID脉冲313

雪崩能量,单脉冲(L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 121

部分#

CRSD082N10L2

打标盘尺寸、胶带宽度、数量

-

- 252带卷

±20

Ptot 10

栅源电压VGS

功耗(TC = 25℃)

工作结和存储温度-55…+150

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