CRSD082N10L2
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):78A 功率(Pd):101W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ@10V,50A
产品详情
产品特点
•使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术
极低导通电阻RDS(on)
•优秀的QgxRDS产品(FOM)
•符合JEDEC标准
应用程序
•AC/DC快速充电器同步整流
•电池管理
•UPS(不间断电源)
VDS公司100 v
RDS(上)@10V typ
RDS @4.5V typ(上)
ID 78
7.2Ω
9米Ω
100%雪崩测试
CRSD082N10L2
包装标记和订购信息
VDS公司
价值
One hundred.
ID 2500pcs
参数
漏源极电压
连续漏极电流
TC = 25°C(硅极限)
TC = 25°C(包装极限)
TC = 100°C(硅极限)
脉冲漏极电流(TC = 25°C, tp受Tjmax限制)
象征
ID脉冲313
雪崩能量,单脉冲(L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 121
部分#
CRSD082N10L2
打标盘尺寸、胶带宽度、数量
-
包
- 252带卷
±20
Ptot 10
栅源电压VGS
功耗(TC = 25℃)
工作结和存储温度-55…+150
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