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CRTD055N03L

描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):71W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,25A N沟道 30V 4.3mΩ@10v
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产品详情

产品概述

无铅环保装置

低导通,最大限度地减少导电损耗

高雪崩电流

应用程序

负荷开关

spm

绝对最大额定值(TA=25°C,除非另有说明)

符号参数

一特

最大单位

漏源电压30v

VGSS栅源电压±20v

ID vg = 10 v

持续漏极电流

TC=25°C (Silicon limited

一个

TC=100°C(硅限

TC=25°C(包装限制

ID Vgs=4.5V TC=25°C(硅限制

TC=100°C(硅限

TC=25°C(包装限制

脉冲漏极电流TC=25°C - A

IAS雪崩电流(L=0.1mH)

T = 25°C

23个

EAS雪崩能量(L=0.1mH)

T = 25°C

26个乔丹

PD最大功耗TC=25℃71 W

TC 35 = 100°C

TJ, TSTG结与存储温度范围-55~175°C

热特性

符号参数最大值。单位

热阻,连接到外壳2

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