CRTD055N03L
描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):71W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,25A N沟道 30V 4.3mΩ@10v
产品详情
产品概述
无铅环保装置
低导通,最大限度地减少导电损耗
高雪崩电流
应用程序
负荷开关
spm
绝对最大额定值(TA=25°C,除非另有说明)
符号参数
一特
最大单位
漏源电压30v
VGSS栅源电压±20v
ID vg = 10 v
持续漏极电流
TC=25°C (Silicon limited
一个
TC=100°C(硅限
TC=25°C(包装限制
ID Vgs=4.5V TC=25°C(硅限制
TC=100°C(硅限
TC=25°C(包装限制
脉冲漏极电流TC=25°C - A
IAS雪崩电流(L=0.1mH)
T = 25°C
23个
EAS雪崩能量(L=0.1mH)
T = 25°C
26个乔丹
PD最大功耗TC=25℃71 W
TC 35 = 100°C
TJ, TSTG结与存储温度范围-55~175°C
热特性
符号参数最大值。单位
热阻,连接到外壳2
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